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J-GLOBAL ID：200903094187591139

半導体モジュール

Inventor： ヴォルフガング ヴェルナー
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000519470
Publication number (International publication number)：2001522146
Application date： Aug. 17, 1998
Publication date： Nov. 13, 2001
Summary：

【要約】本発明は、2つの主表面を備えた半導体基体(1)と、少なくとも2つの電極(D、S)と、半導体基体(1)内に交互に配置されたゾーン(3;5、7)とを有しており、前記電極はそれぞれ少なくとも一方の主表面上に配置されており、前記ゾーンは2つの主表面に対して垂直に延在しており、かつ相互に反対の導電型である、半導体モジュールに関する。交互に配置されたゾーン(3;5、7)は電圧を2つの電極(D、S)に印加する際に相互に電荷キャリアによって空乏化され、半導体基体(1)内で2つの電極間にほぼ一定の電界強度が形成される。交互に配置されたゾーン(3;5、7)は本発明によれば少なくとも1つの中空スペース(6)を有しており、この中空スペースは有利にはガラス層(10)により閉じられている。

Claim (excerpt)：

2つの主表面を備えた半導体基体(1)と、少なくとも2つの電極(D、S)と、半導体基体(1)内に交互に配置されたゾーン(3;5、7)とを有しており、 前記電極はそれぞれ少なくとも一方の主表面上に配置されており、 前記ゾーンは2つの主表面に対して垂直に延在しており、かつ相互に反対の導電型であり、 交互に配置されたゾーン(3;5、7)は電圧を2つの電極(D、S)に印加する際に相互に電荷キャリアによって空乏化され、半導体基体(1)内で2つの電極間にほぼ一定の電界強度が形成される、半導体モジュールにおいて、 交互に配置されたゾーン(3;5、7)は少なくとも1つの中空スペース(6)を有している、ことを特徴とする半導体モジュール。

IPC (7)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/93

FI (7)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/93 Z ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/91 D

F-Term (8)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104FF06 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09