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J-GLOBAL ID：200903094189615361

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 今井 秀秋 ,  宮田 邦夫
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004720
Publication number (International publication number)：1993190903
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化ガリウム系半導体の可視光領域の発光素子用を得る。【構成】 サファイアR面基板16上に多結晶窒化ガリウム系半導体層17,その上に単結晶窒化ガリウム系半導体層18からなる発光層を有する可視光領域の半導体発光素子。【効果】 サファイアR面基板上に1μm以下という窒化ガリウム系半導体の膜厚で電流注入により青色発光する素子を作製することができた。また,膜厚が小さいため発光素子を作製するプロセスが容易で信頼性の高いものになり,かつ光の取り出し効率を高くすることができるという特長がある。

Claim (excerpt)：

オフ角0.8度以下のサファイアR面基板上に形成された多結晶窒化ガリウム系半導体薄膜と,該多結晶窒化ガリウム系半導体上に形成された単結晶窒化ガリウム系半導体からなる発光層を少なくとも一つ有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203