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J-GLOBAL ID：200903094193117783

半導体受光素子

Inventor： 秦 進 ,  加藤 和利 ,  湯田 正宏 ,  吉田 淳一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992046409
Publication number (International publication number)：1993218488
Application date： Feb. 03, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板入射型の半導体受光素子において、応答速度を速くしても量子効率の低下を生じさせないようにする。【構成】 InPなどの半導体基板1上にpn接合8を有する受光素子の基板と反対側の表面上には、電極5の下にSiO2 などの誘電体膜9を部分的に形成した構造を設ける。これにより、信号光16が基板1側より入射した際、光吸収層2を通して電極5に達した非吸収光はほとんど100%の反射率で再び半導体層内に戻され、その光吸収層2で吸収される。このため、信号光は光吸収層2を往復することになり、実効的な光吸収層の厚さが2倍になった効果が期待でき、応答速度を高速に保ちつつ量子効率の低下をも防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板方向から信号光を入射する基板入射型の半導体受光素子において、光入射側とは反対側の受光部領域の表面上に、当該受光部領域の一部分に誘電体膜と金属膜が前記の順序にて積層された高反射率の電極構造を有することを特徴とする半導体受光素子。