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J-GLOBAL ID:200903094195625557

デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002119963
Publication number (International publication number):2003318401
Application date: Apr. 22, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ボトムゲート型半導体装置に適した製造方法の提供。【解決手段】 基板(10)の所定領域に溝部(101)を設ける工程、溝部(101)に導電パターン(11)を形成する工程、および導電パターン(11)を含む領域に当該導電パターン(11)をゲート電極とするデバイスを形成する工程を備える。フォトリソグラフィ法を使用しないので、大規模な設備を使用せず材料を無駄にしない。しかも、溝を利用してから材料液を充填するので、性能と精度が高いボトムゲート型半導体装置を製造することができる。
Claim (excerpt):
基板の所定領域に溝部を設ける工程と、前記溝部に導電パターンを形成する工程と、前記導電パターンを含む領域に当該導電パターンをゲート電極とするデバイスを形成する工程と、を備えるデバイスの製造方法。
IPC (7):
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (6):
G02F 1/1368 ,  H01L 21/283 Z ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/88 J
F-Term (76):
2H092JA26 ,  2H092JA37 ,  2H092JA47 ,  2H092KA20 ,  2H092KB06 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD46 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104HH12 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033NN01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG41 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK37 ,  5F110QQ19

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