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J-GLOBAL ID：200903094195625557

デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器

Inventor： 青木 敬 ,  古沢 昌宏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119963
Publication number (International publication number)：2003318401
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ボトムゲート型半導体装置に適した製造方法の提供。【解決手段】 基板(10)の所定領域に溝部(101)を設ける工程、溝部(101)に導電パターン(11)を形成する工程、および導電パターン(11)を含む領域に当該導電パターン(11)をゲート電極とするデバイスを形成する工程を備える。フォトリソグラフィ法を使用しないので、大規模な設備を使用せず材料を無駄にしない。しかも、溝を利用してから材料液を充填するので、性能と精度が高いボトムゲート型半導体装置を製造することができる。

Claim (excerpt)：

基板の所定領域に溝部を設ける工程と、前記溝部に導電パターンを形成する工程と、前記導電パターンを含む領域に当該導電パターンをゲート電極とするデバイスを形成する工程と、を備えるデバイスの製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (6)：

G02F 1/1368 ,  H01L 21/283 Z ,  H01L 29/78 617 J ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/88 J

F-Term (76)：

2H092JA26 ,  2H092JA37 ,  2H092JA47 ,  2H092KA20 ,  2H092KB06 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD21 ,  4M104DD46 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104FF01 ,  4M104GG09 ,  4M104HH12 ,  5F033GG04 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033NN01 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE41 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG41 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK37 ,  5F110QQ19