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J-GLOBAL ID：200903094197429348

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中村 誠
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991170105
Publication number (International publication number)：1993021465
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置及びその製造方法、特に、SOI基板に形成される半導体装置及びその製造方法に関し、PN接合領域にリーク電流が発生することのない半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に絶縁膜2を介して単結晶半導体層3が形成されているSOI基板に形成される半導体装置において、半導体装置のすべてのPN接合領域を熱酸化膜9・12をもって保護するように構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)上に絶縁膜(2)を介して単結晶半導体層(3)が形成されてなるSOI基板に形成されてなる半導体装置において、前記半導体装置に設けられたPN接合領域が前記半導体基板(1)上において熱酸化膜(9・12)をもって包囲されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/12