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J-GLOBAL ID：200903094209108267

半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法

Inventor： 咸 東 錫 ,  任 善 基 ,  朴 柱 日 ,  崔 光 敏 ,  鄭 光 恩
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社 ,  韓国科学技術院
Agent (6)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸 ,  藤田 健 ,  都祭 正則 ,  長谷川 俊弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007038068
Publication number (International publication number)：2007216223
Application date： Feb. 19, 2007
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：

【課題】半導体特性を有する光触媒物質及びその製造方法と利用方法を提供する。【解決手段】(a)第1の金属に対して第2の金属が所定のモル比となるように、前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を形成する段階であって、その際、該第1の金属は光誘導された半導体特性を示す金属であり、該第2の金属はドーパントであり、(b)前記混合物から不要なイオンを除去するために前記第1の金属の前駆体及び第2の金属の前駆体の混合物を処理して、前記第2の金属のイオンが全体に分散された前記第1の金属の酸化物を含む初期生成物を形成する段階と、(c)前記初期生成物を乾燥して、前記第2の金属のイオンでドーピングされた、乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を形成する段階であって、該乾燥状態の生成物は粒子を含み、(d)熱を加えることによって前記乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を焼成して、光触媒物質を形成する段階という、逐次的な段階を含む、光触媒物質の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(a)第1の金属に対して第2の金属が所定のモル比となるように、前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を形成する段階であって、その際、該第1の金属は光誘導された半導体特性を示す金属であり、該第2の金属はドーパントであり、 (b)前記混合物から不要なイオンを除去するために前記第1の金属の前駆体及び前記第2の金属の前駆体の混合物を処理して、前記第2の金属のイオンが全体に分散された前記第1の金属の酸化物を含む初期生成物を形成する段階と、 (c)前記初期生成物を乾燥して、前記第2の金属のイオンでドーピングされた、乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を形成する段階であって、該乾燥状態の生成物は粒子を含み、 (d)熱を加えることによって前記乾燥状態の第1の金属の酸化生成物を焼成して、光触媒物質を形成する段階 という、逐次的な段階を含むことを特徴とする、光触媒物質の製造方法。

IPC (10)：

B01J 35/02 ,  B01J 37/06 ,  B01J 37/08 ,  B01D 53/86 ,  B01J 37/03 ,  B01J 37/04 ,  B01J 23/30 ,  B01J 23/745 ,  A61L 9/00 ,  A61L 9/01

FI (12)：

B01J35/02 J ,  B01J37/06 ,  B01J37/08 ,  B01D53/36 J ,  B01D53/36 G ,  B01J37/03 B ,  B01J35/02 H ,  B01J37/04 102 ,  B01J23/30 M ,  B01J23/74 301M ,  A61L9/00 C ,  A61L9/01 B

F-Term (85)：

4C080AA07 ,  4C080BB02 ,  4C080CC08 ,  4C080HH05 ,  4C080KK08 ,  4C080MM02 ,  4C080QQ03 ,  4D048AA17 ,  4D048AB03 ,  4D048BA07X ,  4D048BA08Y ,  4D048BA16Y ,  4D048BA21Y ,  4D048BA23Y ,  4D048BA27X ,  4D048BA28Y ,  4D048BA36X ,  4D048BA41Y ,  4D048BB01 ,  4D048BB17 ,  4D048CC40 ,  4D048CC41 ,  4D048EA01 ,  4G169AA02 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA04B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB08C ,  4G169BC22A ,  4G169BC22C ,  4G169BC35A ,  4G169BC35C ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169BC50C ,  4G169BC51A ,  4G169BC51C ,  4G169BC54A ,  4G169BC54C ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC60C ,  4G169BC62A ,  4G169BC62C ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC66C ,  4G169BD12C ,  4G169CA01 ,  4G169CA10 ,  4G169CA11 ,  4G169DA06 ,  4G169EA01X ,  4G169EA01Y ,  4G169EA08 ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169EB19 ,  4G169EC22Y ,  4G169EC25 ,  4G169EC27 ,  4G169FA01 ,  4G169FA03 ,  4G169FB04 ,  4G169FB09 ,  4G169FB23 ,  4G169FB30 ,  4G169FB57 ,  4G169FB80 ,  4G169FC02 ,  4G169FC06 ,  4G169FC07 ,  4G169FC08 ,  4G169FC10 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HB02 ,  4G169HB06 ,  4G169HC29 ,  4G169HD03 ,  4G169HD10 ,  4G169HE03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 大韓民国特許第10-0216032号明細書
  
• 大韓民国特許公開第10-2005-0077887号公報