Pat

J-GLOBAL ID：200903094212179256

シリコンウエーハ

Inventor： 白井 宏 ,  高井 法平 ,  桐野 好生 ,  赤井 賢二 ,  今 武志 ,  中西 宏円
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994232516
Publication number (International publication number)：1995165495
Application date： Nov. 22, 1985
Publication date： Jun. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶欠陥密度が小さいシリコンウエーハを提供する。【構成】 水素ガスの雰囲気下において1000°Cから1350°Cの温度範囲に少なくとも30分間滞留させる熱処理を施したシリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で16時間熱処理を行い、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が100個/cm2 以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

水素ガスの雰囲気下において1000°Cから1350°Cの温度範囲に少なくとも30分間滞留させる熱処理を施したシリコンウエーハであって、乾燥酸素ガス雰囲気で16時間熱処理を行い、エッチングをして表面の酸化誘起積層欠陥密度を測定した場合、その平均密度が100個/cm2 以下であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (4)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭51-134071
  
• 特開昭58-085534