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J-GLOBAL ID：200903094214881446

多層配線形成方法

Inventor： 加藤 克幸
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991346464
Publication number (International publication number)：1993182966
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線形成工程において、接続孔埋め込みと配線とを同時に行うことにより工程を短縮することを目的とする。【構成】半導体装置の多層配線形成方法において、半導体基板1の上面に種類の異なる層間絶縁膜5、6を形成する工程と、この層間絶縁膜5、6のエッチングレート差を利用して、上記層間絶縁膜5、6に深さの異なる溝を形成する工程と、左記深さの異なる溝に導電材料8を同時に埋め込む工程を含む。

Claim (excerpt)：

半導体装置の多層配線形成において、半導体基板の上面に種類の異なる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜間のエッチングレート差を利用して前記層間絶縁膜に深さの異なる溝を形成する工程と、前記深さの異なる溝に導電材料を同時に埋め込む工程を含むことを特徴とする半導体装置の多層配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90