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J-GLOBAL ID：200903094227062533

半導体装置

Inventor： 津守 昌彦
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 杉谷 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992360574
Publication number (International publication number)：1994204291
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の電気的特性を劣化させることなく、しかも十分な信頼性を確保することができる半導体装置を提供する。【構成】 半導体素子20の表面に形成された金属バンプ21の内側に、金属バンプ21と同じ金属材料からなるリング状のダム22を形成することによって、低粘度の封止用樹脂13が半導体素子20の主要回路領域に流れ込むのを防止する。

Claim (excerpt)：

半導体素子がその表面を下側にして基板上に実装され、前記表面に形成された金属バンプと前記基板上に形成されたリードパッドとが電気的に接続される半導体装置において、前記半導体素子は低粘度の樹脂で封止されており、かつ、前記半導体素子は前記封止樹脂の内部への流れ込みを防止する畝状突起(ダム)を備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電子部品装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218437   Applicant：株式会社東芝