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J-GLOBAL ID：200903094253149671

半導体放射線検出器の製造方法

Inventor： 岩瀬 義倫
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356793
Publication number (International publication number)：1993183180
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】電極間に高い電圧を印加した場合にも、電極からの電子、正孔の注入を充分に抑制でき、かつ、半導体基板の電気的特性が変化しない半導体放射線検出器の製造方法を提供する。【構成】半導体単結晶からなる基板の一方の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する一導電型の第1のエピタキシャル層を形成し、該基板の他の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する他の導電型の第2のエピタキシャル層を形成し、前記第1および第2のエピタキシャル層上にそれぞれ電極を形成する。【効果】?@高速の検出が可能であり、?AS/N比が著しく向上し、加えて、?Bエネルギー分解能に優れる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶からなる基板の一方の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する一導電型の第1のエピタキシャル層を形成し、該基板の他の主面に該基板と同一またはそれ以上のバンドギャップを有する他の導電型の第2のエピタキシャル層を形成し、前記第1および第2のエピタキシャル層上にそれぞれ電極を形成することを特徴とする半導体放射線検出器の製造方法。

IPC (3)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24 ,  H01L 21/36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭64-012582
  
• 特開昭64-089471