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J-GLOBAL ID：200903094253438436

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 小崎 浩司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992239360
Publication number (International publication number)：1994089985
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1にはトレンチが形成されており、トレンチは多結晶シリコン膜11によってトレンチ5a、5bに分けられている。13は酸化膜である。第1ストレージノード17aと第2ストレージノード29aからなるストレージノードは不純物領域25と電気的に接続されている。第2ストレージノード29aの表面には誘電体膜31が形成され、誘電体膜31の表面にはセルプレート33aが形成されている。【効果】 多結晶シリコン膜11の上端部が主表面2より上に位置している。このため上層配線膜から多結晶シリコン膜11に電圧を与えトレンチをトレンチ5a、5bに分離する場合、多結晶シリコン膜11と上層配線膜との電気的接続を容易にすることができる。

Claim (excerpt)：

主表面にトレンチが形成された半導体基板と、前記トレンチの底部から上方に延び、上端部が前記主表面より上にあり、前記トレンチを第1および第2トレンチに分離する導電部材と、前記第1トレンチ内に形成された第1キャパシタと、前記第2トレンチ内に形成された第2キャパシタと、を備えた半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04