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J-GLOBAL ID：200903094255418882

ダイナミックランダムアクセスメモリ

Inventor： 清水 伸
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351219
Publication number (International publication number)：1994176570
Application date： Dec. 07, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【目的】 チップ面積及び消費電力を低減することができ、更に小信号振幅のインタフェースを使用するシステムに於けるノイズを低減することが可能なダイナミックランダムアクセスメモリを提供する。【構成】 電源電圧よりも低い基準電圧を駆動用として、またこの基準電圧よりも高い電圧を書き込み用として必要とするDRAMに於て、上記した基準電圧よりも高い電圧を電源から直接供給する構成とすることで、別途昇圧回路を必要とせず、チップ面積及び昇圧回路に必要とされる消費電力をなくすことができ、更に小信号振幅システムにDRAMを用いた場合でも小信号振幅インタフェースに昇圧回路から発生するノイズが作用する心配がない。

Claim (excerpt)：

電源電圧変換回路にて発生する電源電圧よりも低い基準電圧をもって駆動されると共に前記基準電圧よりも高い電圧をもって書き込みが行われるダイナミックランダムアクセスメモリであって、前記基準電圧よりも高い電圧が電源から直接供給されることを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。

IPC (2)：

G11C 11/407 ,  H01L 27/108

FI (2)：

G11C 11/34 354 F ,  H01L 27/10 325 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-246516
  
• 特開平2-189795
  
• 特開平3-228368