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J-GLOBAL ID：200903094256043068

荷電粒子線装置

Inventor： 振木 昌成 ,  黒澤 浩一 ,  今野 武彦 ,  船津 隆一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立ハイテクノロジーズ ,  株式会社日立サイエンスシステムズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003361390
Publication number (International publication number)：2004170395
Application date： Oct. 22, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】 回路パターン検査装置で特定した欠陥の位置情報を、他の装置でも活用できる形で迅速かつ正確に伝達することである。【解決手段】 検査装置の持つ荷電粒子線照射機構を用いて欠陥周辺にマーキングを行う。このマーキングによって他装置との欠陥位置情報の共有が可能となる。マーキング手法としては荷電粒子線照射による堆積物やチャージアップなどが挙げられる。検査装置内でマーキングを行うことで他の装置により正確に、簡便に伝達でき、解析精度の向上と解析時間の短縮が可能である。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

回路パターンの複数の領域に荷電粒子線を照射しその回路パターンから発生する2次荷電粒子を検出して照射領域の画像を形成し複数の領域の画像を比較することで回路の欠陥、或いは異物を検出する回路パターン検査装置と、当該パターン検査装置によって特定された欠陥を、観察或いは分析する荷電粒子線装置を含む荷電粒子線装置システムであって、 前記回路パターン検査装置内で、荷電粒子線の照射による帯電、或いは荷電粒子線と前記回路パターン検査装置内に存在または試料から生じるガスとの相互作用により照射領域において生じるカーボン系の付着物を生じさせ、当該帯電、或いは付着物を、前記荷電粒子線装置における目印とすることを特徴とする荷電粒子線装置システム。

IPC (5)：

G01N23/225 ,  G01N1/28 ,  H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01L21/66

FI (9)：

G01N23/225 ,  H01J37/147 B ,  H01J37/20 D ,  H01J37/20 E ,  H01J37/20 F ,  H01J37/20 Z ,  H01L21/66 C ,  H01L21/66 J ,  G01N1/28 H

F-Term (51)：

2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001AA10 ,  2G001BA07 ,  2G001BA11 ,  2G001BA15 ,  2G001BA30 ,  2G001CA03 ,  2G001CA05 ,  2G001CA10 ,  2G001GA04 ,  2G001GA06 ,  2G001JA03 ,  2G001JA07 ,  2G001JA11 ,  2G001JA12 ,  2G001JA16 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA03 ,  2G001PA07 ,  2G001RA03 ,  2G001RA04 ,  2G001RA06 ,  2G001RA20 ,  2G052AA13 ,  2G052AC28 ,  2G052EB13 ,  2G052FD20 ,  2G052GA18 ,  2G052JA09 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CA39 ,  4M106CA41 ,  4M106DB05 ,  4M106DB21 ,  4M106DE01 ,  4M106DE02 ,  4M106DE04 ,  4M106DH45 ,  4M106DH53 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  5C001BB02 ,  5C001BB03 ,  5C001CC04 ,  5C033FF06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• SEM式欠陥レビュー装置およびその方法並びに検査システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-316334   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイスパターンの欠陥検査・不良解析方法、半導体デバイスパターンの欠陥検査・不良解析システム、および、半導体デバイスパターンの検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-308506   Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• “In situ electron-beam lithography on GaAs substrates using a metal alkoxide resist”