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J-GLOBAL ID:200903094263300297

水素分離体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡邉 一平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999132988
Publication number (International publication number):2000317282
Application date: May. 13, 1999
Publication date: Nov. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 コーティング層を有さない多孔質基体に水素分離膜を直接形成しても、水素透過量及び透過水素の純度をほとんど落とすことなく、水素分離体の製造コストを大幅に削減することができる水素分離体を提供する。【解決手段】 多孔質基体2上に2.5〜7μmの厚さの水素分離膜4を直接形成させた水素分離体1である。多孔質基体2の平均細孔径は、水素分離膜4の厚さ以下であるとともに、1μm以上である。
Claim (excerpt):
多孔質基体上に2.5〜7μmの厚さの水素分離膜を直接形成させた水素分離体であって、上記多孔質基体の平均細孔径が、水素分離膜の厚さ以下であるとともに、1μm以上であることを特徴とする水素分離体。
IPC (3):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50
FI (3):
B01D 71/02 500 ,  B01D 53/22 ,  C01B 3/50
F-Term (32):
4D006GA41 ,  4D006HA28 ,  4D006KE02P ,  4D006KE05P ,  4D006KE07P ,  4D006KE08P ,  4D006KE12P ,  4D006KE13P ,  4D006KE16P ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA06 ,  4D006MA22 ,  4D006MA24 ,  4D006MA31 ,  4D006MB03 ,  4D006MB15 ,  4D006MC02X ,  4D006MC03X ,  4D006MC04 ,  4D006MC05 ,  4D006NA49 ,  4D006NA50 ,  4D006PA01 ,  4D006PA02 ,  4D006PB19 ,  4D006PB66 ,  4G040FA04 ,  4G040FB09 ,  4G040FC01 ,  4G040FC07 ,  4G040FE01

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