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J-GLOBAL ID：200903094278031586
炭化珪素半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998148538
Publication number (International publication number)：1999340158
Application date： May. 29, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】 炭化珪素のアニール時のイオン注入不純物の外方拡散を防ぐ。【解決手段】 イオン注入した部分を、イオン注入不純物を含む高融点金属化合物の薄膜で被覆してから、アニールする。
Claim (excerpt)：
炭化珪素基板の所定の領域にn型又はp型不純物となる原子のイオン注入を行い、該不純物のイオン注入を行った領域の一部又は全面を、少なくともイオン注入した不純物原子を含んだ高融点金属化合物で構成された第1の薄膜により被覆し、その後アニールすることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 602 A
