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J-GLOBAL ID：200903094279047702

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  安達 広樹
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998208724
Publication number (International publication number)：2000031494
Application date： Jul. 08, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 陽極酸化用の電圧供給線を形成せずに、アルミニウムでなるゲート配線を陽極酸化する。【解決手段】 レジストマスク106を残したまま、陽極酸化装置のプローブをTa膜104に接触させて、シュウ酸溶液中で陽極酸化してポーラスA.O.膜108を形成する。レジストマスク106を除去した後、再び陽極酸化装置において、酒石酸溶液中でTa膜104に電圧を印可して陽極酸化し、バリアA.O.膜209、TaOx膜111を形成する。ポーラスA.O.膜108下部にはTa膜104が完全に酸化されていない。ポーラスA.O.膜108をエッチングによって除去後、この残存したTa膜を熱酸化する。

Claim (excerpt)：

複数の絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置であって、前記絶縁ゲート型トランジスタのゲート配線は、第1の導電膜でなる第1の配線層上に、第2の導電膜でなる第2の配線層が積層され、前記第1の配線層を酸化して形成された前記第1の酸化物膜と、前記第2の配線層を酸化して形成された前記第2の酸化物膜と、を有し、前記第2の配線層の下部は、前記第1の配線層のみに接し、前記第2の酸化物膜の下部は、前記第1の配線層及び前記第1の酸化物膜とに接し、前記絶縁ゲート型トランジスタの少なくとも1つの半導体層には、シリコンの結晶化を助長する触媒元素を含有し、前記触媒元素の濃度は、チャネル形成領域よりもソース領域及びドレイン領域のほうが高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 C

F-Term (16)：

5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA12 ,  5F033AA13 ,  5F033AA43 ,  5F033AA47 ,  5F033AA75 ,  5F033BA02 ,  5F033BA12 ,  5F033BA15 ,  5F033BA23 ,  5F033BA38 ,  5F033CA01 ,  5F033CA04 ,  5F033EA03 ,  5F033EA25