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J-GLOBAL ID：200903094280094749

アモルファス膜の結晶化方法および薄膜トランジスタ

Inventor：
前川 真司

About 前川 真司


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199167
Publication number (International publication number)：1999097710
Application date： Jul. 14, 1998
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高品質の結晶を形成することができる、制御された結晶化方法を提供する。【解決手段】 アモルファス膜の結晶化方法は、アモルファス膜の層を堆積させる工程と、該アモルファス膜の選択領域の上に接するように連続性遷移金属膜の層を堆積させる工程とを含んでいる。連続性遷移金属膜の下にあるアモルファス膜の選択領域が使われて連続性遷移金属半導体化合物膜を形成するように、堆積されたアモルファス膜と連続性遷移金属膜とがアニールされる。さらにアニールを施して、アモルファス膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える。連続性遷移金属膜の選択的配置によって結晶成長フロントは制御される。
Claim (excerpt)：
リーク電流の小さい薄膜トランジスタの形成における、アモルファス膜の結晶化方法であって、(a)第1の膜厚を有するアモルファス膜の層を堆積させる工程と、(b)該アモルファス膜の選択領域の上に接するように、第2の膜厚を有する連続性遷移金属膜の層を堆積させる工程と、(c)該連続性遷移金属膜の下にある、該アモルファス膜の該選択領域が使われて連続性遷移金属半導体化合物膜を形成するように、該工程(a)および(b)で堆積された該膜をアニールする工程と、(d)アニールを施して、該アモルファス膜の少なくとも一部分を多結晶膜に変える工程とを包含し、該連続性遷移金属膜の選択的配置により、結晶成長フロントを制御する、方法。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329760   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開平3-003325
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048534   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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