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J-GLOBAL ID：200903094280211060

結晶成長用基板

Inventor： 宮嶋 孝夫 ,  ヤン ル ベレゴ ,  伊東 孝之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  株式会社バイコウスキージャパン
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997078061
Publication number (International publication number)：1998072299
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体を直接良好にエピタキシャル成長できる結晶成長用基板を提供する。【解決手段】 基板上に直接形成される第1層がGaN系材料であって、その基板が、イットリウム・アルミニウム・ペロブスカイトよりなる。

Claim (excerpt)：

基板上に直接形成される第1層がAl,B,Ga,Inのうちの1元素以上とNとを含む化合物半導体材料であって、基板が、イットリウム・アルミニウム・ペロブスカイトよりなることを特徴とする結晶成長用基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  C30B 23/08

FI (3)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  C30B 23/08 M