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J-GLOBAL ID：200903094284077687

絶縁膜の形成方法および絶縁膜パターンの形成方法

Inventor： 早瀬 修二 ,  中野 義彦 ,  可児 利佳子 ,  伊藤 真穂
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331997
Publication number (International publication number)：1997172009
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 表面の平坦性に優れ、体積収縮に伴うクラック発生を防止した膜質が良好な絶縁膜の形成方法を提供するものである。【解決手段】 所定の単量体を繰り返し単位として主鎖に有するポリシランを含む溶液を基板上に塗布した後、酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより酸素架橋3次元化することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

下記化1に示す一般式(I)の単量体を繰り返し単位として主鎖に有するポリシランを含む溶液を基板上に塗布した後、酸素含有雰囲気中で加熱処理することにより酸素架橋3次元化することを特徴とする絶縁膜の形成方法。【化1】ただし、式中のR1 は置換もしくは非置換の芳香族基を示す。

FI (2)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 C