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J-GLOBAL ID：200903094294852948

半導体レーザ

Inventor： 西谷 昭彦 ,  須郷 満
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997038927
Publication number (International publication number)：1998242559
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、高出力、高信頼性半導体レーザを提供することにある。【解決手段】 少なくとも一層のIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.2<x<0.5)圧縮歪量子井戸層からなる活性層を含み、前記活性層の圧縮歪と等量の引っ張り歪を持つ歪補償層を設ける。

Claim (excerpt)：

In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>As(0.2<x<0.5)圧縮歪単一量子井戸層からなる中央の活性層と、この活性層を挾むように上下両側に形成されたガイド層と、このガイド層の上記活性層と反対側に形成されたクラッド層と、を有する半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-166785
  
• 特開平3-003384
  
• 特開平3-166785
  
• 特開平3-003384