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J-GLOBAL ID：200903094295600420
SOI基板の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992050175
Publication number (International publication number)：1993251412
Application date： Mar. 09, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 SOI基板の製造方法に関し,薄いシリコン薄膜を精密な厚さに研磨してSOI基板を製造することを目的とする。【構成】 絶縁層2上に設けられたシリコン層3aをシリコン層3aに近接して絶縁層2上に設けられたストッパ5を用いて研磨し,ストッパ5で定まる厚さのシリコン薄膜3となすSOI基板の製造方法において,ストッバ5とシリコン層3aとの間に絶縁膜2中に達する深さの溝4を設けることを特徴として構成し,及び,ストッパ5は,ストッパ5の上面がシリコン薄膜3の表面より低くなるように形成され,溝4の深さにより,シリコン薄膜3の厚さを制御して研磨することを特徴として構成する。
Claim (excerpt)：
絶縁層(2)上に設けられたシリコン層(3a)を該シリコン層(3a)に近接して該絶縁層(2)上に設けられたストッパ(5)を用いて研磨し,該ストッパ(5)で定まる厚さのシリコン薄膜(3)となすSOI(Silicon on Insulator) 基板の製造方法において,前記研磨工程に先立って,該ストッバ(5)と該シリコン層(3a)との間に該絶縁膜(2)中に達する深さの溝(4)を設けることを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/302
, H01L 27/12
