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J-GLOBAL ID：200903094298583089
ヘテロ接合型半導体レーザ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991165943
Publication number (International publication number)：1993013872
Application date： Jul. 05, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Al含有によるクラッド層における熱伝導及び電気伝導の低下を改善する。【構成】 Al含有クラッド層をAl含有の大なる第1及び第2の層1及び2とその中間部に設けた厚さが大でAl含有の小さい第3のクラッド層3とより構成する。
Claim (excerpt)：
Alを含む混晶によるクラッド層を有する接合型半導体レーザにおいて、その少なくともp型クラッド層が、Al含有量が大なる第1及び第2のクラッド層と、これら間に介在し、上記第1及び第2のクラッド層に比しAl含有量が小で厚さが大の第3のクラッド層とよりなることを特徴とするヘテロ接合型半導体レーザ。
Patent cited by the Patent：
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