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J-GLOBAL ID：200903094304709642

アクティブマトリクス基板およびその製造方法

Inventor： 田中 聖也
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Agent (1)： 根本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055178
Publication number (International publication number)：1995239481
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Sep. 12, 1995
Summary：

【要約】【構成】 基板2上のトップゲートタイプの薄膜トランジスタ1のソース電極5にデータ線11が接続され、ドレイン電極6に画素電極12が接続され、第1の半導体薄膜7はソース電極5側とドレイン電極6側とに分離されると共に第2の半導体薄膜8よりもキャリヤ密度が大きくされている。その画素電極12と同一材料の残留層15上にデータ線11とソース電極5とが同一材料から形成され、その画素電極12上にドレイン電極6がデータ線11と同一材料から形成され、その第1の半導体薄膜7はソース電極5上とドレイン電極6上に形成されている。【効果】 製造工程を増やすことなくデータ線の低抵抗化と薄膜トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。

Claim (excerpt)：

ソース電極、ドレイン電極、第1の半導体薄膜、第2の半導体薄膜、ゲート絶縁膜およびゲート電極を有するトップゲートタイプの薄膜トランジスタと、そのソース電極に接続されるデータ線と、そのドレイン電極に接続される画素電極とを基板上に備え、その第1の半導体薄膜はソース電極側とドレイン電極側とに分離されると共に第2の半導体薄膜よりもキャリヤ密度が大きくされているアクティブマトリクス基板において、その画素電極と同一材料の残留層が設けられ、その残留層上にデータ線とソース電極とが同一材料から形成され、その画素電極上にドレイン電極がデータ線と同一材料から形成され、その第1の半導体薄膜はソース電極上とドレイン電極上とに形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786