MOSトランジスタ作製方法およびその構造

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356299
Publication number (International publication number)：1994120249
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】簡単で、少ない工程数によりLDD構造を持つMOSトランジスタを作製する方法およびその構造を提供する。【構成】従来のLDD構造を有するTFTの作製方法で必要であったゲイト電極側面のスペーサの代わりに通常のゲイト絶縁膜をゲイト電極よりチャネル幅方向に幅広く形成し、さらにこのゲイト絶縁膜より薄い絶縁膜をその横に形成して、ゲイト絶縁膜のゲイト電極以外の部分の厚みとその横の薄い絶縁膜との厚みの差を利用して、ゲイト電極の端部とソースまたはドレインとの間の半導体膜部分に低濃度の不純物領域を形成するものであります。

Claim (excerpt)：

MOSトランジスタを製造する工程において、トランジスタのチャネル部を構成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜上にゲイト絶縁膜を形成する工程と、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極材料を形成する工程の後にゲイト電極をパターニングし、該パターニングの際に同時に前記ゲイト絶縁膜の一部をエッチング除去しゲイト絶縁膜より薄い絶縁膜を形成し、前記ゲイト電極のチャネル幅方向を狭めるようにさらにエッチング除去する工程の後に前記ゲイト電極をマスクとして、不純物を導入する工程を有することを特徴とするMOSトランジスタの作製方法。

IPC (2)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭63-204769
特開平2-098143
特開昭60-055665

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