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J-GLOBAL ID：200903094314906322
エッチングの後処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992354410
Publication number (International publication number)：1994188229
Application date： Dec. 16, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 被処理体に付着する不純物を除去して、エッチングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上及び設備の小型化を図る。【構成】 エッチング処理された半導体ウエハWが搬入された処理容器40内を高温雰囲気にし、O2 を含む第1の処理ガスガスを供給すると共に、プラズマにより半導体ウエハWの表面に形成されたポリマー34とフォトレジスト層32を除去する。その後、同一雰囲気の下でCF4 とO2 を混合した第2の処理ガスを使用して半導体ウエハWのエッチング孔33に付着したダメージ層35を除去する。これにより、エッチングの再現性を良好にすると共に、処理時間の短縮化、スループットの向上及び設備の小型化を図ることができる。
Claim (excerpt)：
エッチング処理された被処理体を高温に加熱して酸素(O2)を含む第1の処理ガスのプラズマ雰囲気下で、レジスト膜と上記被処理体の表面に付着するポリマーを除去する第1工程と、ハロゲンガスと酸素(O2 )を含む第2の処理ガスのプラズマ雰囲気の下で、エッチング処理の際にエッチングにより生成された不純物層を除去する第2工程とからなることを特徴とするエッチングの後処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/302
, C23F 1/00 104
