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J-GLOBAL ID：200903094317276214

半導体レーザ

Inventor： 杉浦 勝己
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992318502
Publication number (International publication number)：1994164060
Application date： Nov. 27, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 InGaAs歪量子井戸活性層を有するダブルヘテロ構造半導体レーザに関し、非発光欠陥密度を低減できるクラッド層を備えた半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 少なくともInGaAs歪量子井戸活性層と、GaAs基板にほぼ格子整合したAlGaAsまたはInGaPを主成分とするクラッド層とを含むダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、非発光欠陥の密度を低減させ得る濃度範囲で、前記クラッド層構成主成分元素より原子半径の大きな周期律表第IIIa族または第Va族の欠陥抑制元素を前記クラッド層に添加したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

少なくともInGaAs歪量子井戸活性層(4)と、GaAs基板(1)にほぼ格子整合したAlGaAsまたはInGaPを主成分とするクラッド層と(3、5)を含むダブルヘテロ型半導体レーザにおいて、非発光欠陥の密度を低減させ得る濃度範囲で、前記クラッド層構成主成分元素より原子半径の大きな周期律表第IIIa族または第Va族の欠陥抑制元素を前記クラッド層に添加したことを特徴とする半導体レーザ。