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J-GLOBAL ID：200903094322364687

半導体基板の製造方法

Inventor： 小林 和美 ,  西尾 直治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991215700
Publication number (International publication number)：1993055233
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】Si半導体基板表面近傍を低酸素濃度化して、Si半導体基板表面及びその近傍の結晶欠陥を低減する。【構成】Si半導体基板1の鏡面化された一主面2を、10-6Torr以下の真空下で波長1〜0.3μmの光源を用いてランプ加熱を行い、400〜800°Cに加熱する。【効果】高真空下で加熱するので、Si半導体基板1の内部の酸素は、低温で外方拡散する。また、波長1〜0.3μmの範囲で、ランプ加熱するので表面近傍のみを加熱することができ、第1図(b)のように低酸素濃度領域3をSi半導体基板表面に形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板を真空中で加熱して前記半導体基板の表面に低酸素濃度領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/304 321