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J-GLOBAL ID：200903094336996970

プラズマによる気相からの層析出方法

Inventor： ハインツ シユタインハルト ,  コンラート ヒーバー ,  ツフオニミール ガブリーク ,  ライナー ブラウン ,  ヘルムート トライヒエル ,  オスワルト シユピンドラー ,  アレクサンダー ゲシユワントナー
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992285333
Publication number (International publication number)：1993217922
Application date： Sep. 29, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 集積半導体回路の製造の際に外部のマイクロ波励起により気相から層をプラズマにより析出するための方法(PECVD)を、層の安定性を高めるように改良する。【構成】 析出反応から空間的に隔てられて、活性化された中性粒子への反応ガスの分解が入結合されたマイクロ波エネルギーにより励起され、また活性化された粒子が続いて反応器に導かれ、そのなかで、励起されない反応ガスの追加的導入のもとに、また小さい電力の高周波(RF)エネルギーの入結合のもとにプラズマによる析出反応が行われる。

Claim (excerpt)：

集積半導体回路の製造の際に外部のマイクロ波励起により気相から層をプラズマにより析出するための方法において、析出反応から空間的に隔てられて、活性化された中性粒子への反応ガスの分解が入結合されたマイクロ波エネルギーにより励起され、また活性化された粒子が続いて反応器に導かれ、そのなかで、励起されない反応ガスの追加的導入のもとに、また小さい電力の高周波(RF)エネルギーの入結合のもとにプラズマによる析出反応が行われることを特徴とするプラズマによる気相からの層析出方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭63-047141
  
• 特開平3-162591