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J-GLOBAL ID：200903094349002370

単結晶製造装置および単結晶製造方法

Inventor： 西元 学
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996084075
Publication number (International publication number)：1997278581
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 28, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高能率で大径単結晶を製造するのに適した単結晶製造装置・方法を提供する。【解決手段】融液を収容する坩堝1と、これを加熱するヒーター2と、融液6の表面に種結晶4を接触させて単結晶を成長させる引上手段5と、単結晶の引上げ域周囲を囲繞するガス整流筒11と、各部材を収納する金属チャンバー8を備えた単結晶製造装置において、整流筒11は上方から下方に向って縮径されており(A)〜(C)式で規定される断熱材12が内包されている。(A)50mm≦H2/3・Hf(H:断熱材長さ)、(B)2mm≦W≦50mm(W:断熱材厚さ)、(C)Db≦50mm(Db :断熱材下端のガス整流筒下端からの距離)。たヾしHfはガス整流筒の長さを示す。ガス整流筒は、その上方であって断熱材が内包されていない部分の厚さを薄くするのが望ましく、上逑の装置を用いて単結晶3を高速度で引き上げる。

Claim (excerpt)：

成長させるべき単結晶の原料溶融液を収容する坩堝と、この溶融液を加熱するヒーターと、坩堝内の溶融液の表面に種結晶を接触させて単結晶を成長させる引上げ手段と、単結晶の引上げ域の周囲を囲繞するガス整流筒と、前記各部材を収納する金属チャンバーとを具備する単結晶製造装置において、前記ガス整流筒は単結晶の引上げ域の周囲を囲繞する円筒状または上方から下方に向かうに従って縮径されており、かつ下方の一部には下記 (A)乃至 (C)式で規定される断熱材が内包されていることを特徴とする単結晶製造装置。50mm≦H≦ 2/3・Hf ・・・ (A)2mm≦W≦50mm ・・・ (B)Db ≦50mm ・・・ (C)ただし、H:断熱材長さ、 W:断熱材厚さDb :断熱材下端からガス整流筒下端までの距離Hf:ガス整流筒長さ

IPC (3)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P