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J-GLOBAL ID：200903094355244326

磁気抵抗効果型ヘツドおよびその製造方法

Inventor： 金峰 理明 ,  沓澤 智子 ,  上原 裕二 ,  金井 均 ,  神田 英一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991273815
Publication number (International publication number)：1993114120
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】磁気抵抗効果型ヘッドにおけるクロストークノイズを抑制することを目的とする。【構成】両端に引き出し導体層1,1が磁気記録媒体のトラック幅に相当する間隔Wをおいて接続されて電流が流される磁気抵抗効果素子2に、磁気記録媒体の残留磁化からの信号磁界を印加し、磁気抵抗効果素子2の抵抗変化を利用して磁気記録媒体からの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子2および引き出し導体層1,1が一対の磁気シールド層3,4の間に非磁性絶縁層5を介して絶縁された状態で挟まれた構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記引き出し導体層1,1と磁気抵抗効果素子2とで形成された1ターンの電気回路の中心部の磁気シールド層3,4間の間隔を、それ以外の磁気シールド層3,4間の間隔よりも大きくしたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

Claim (excerpt)：

両端に引き出し導体層(1,1)が磁気記録媒体のトラック幅に相当する間隔(W)をおいて接続されて電流が流される磁気抵抗効果素子(2)に、磁気記録媒体の残留磁化からの信号磁界を印加し、磁気抵抗効果素子(2)の抵抗変化を利用して磁気記録媒体からの信号磁界を再生する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子(2)および引き出し導体層(1,1)が一対の磁気シールド層(3,4)の間に非磁性絶縁層(5)を介して絶縁された状態で挟まれた構造の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記引き出し導体層(1,1)と磁気抵抗効果素子(2)とで形成された1ターンの電気回路の中心部の磁気シールド層(3,4)間の間隔を、それ以外の磁気シールド層(3,4)間の間隔よりも大きくしたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。