Pat
J-GLOBAL ID：200903094362803870
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992338430
Publication number (International publication number)：1994188249
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高周波用半導体集積回路の製造工程において、GaAs基板の高温処理による基板の反りを防止して素子歩留を向上させ、また酸素雰囲気中での高温処理による基板裏面からの急速なAs抜けを抑制し、亜砒酸の生成と基板裏面の激しい損傷を防止する。【構成】 活性層となるイオン注入領域2が形成されたGaAs基板1のイオン注入領域2が形成された面に窒化珪素膜3を形成し、もう一方の基板裏面にも窒化珪素膜4を形成した後、高温処理して注入不純物の活性化を行なう。その後従来の方法で各回路素子を形成して配線・接続する。回路素子として有機金属熱分解法による高誘電率複合酸化物薄膜を誘電体とするキャパシタを形成する場合には、窒化珪素膜4を残した状態で酸素雰囲気中の高温処理を行なう。
Claim (excerpt)：
半導体GaAs基板の一方の面に活性層となるイオンが注入され、前記半導体GaAs基板の前記イオンが注入された面に第1の窒化珪素膜を形成し、かつ前記半導体GaAs基板のもう一方の面に第2の窒化珪素膜を形成し、高温処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/324
, H01L 21/265
, H01L 21/318
, H01L 27/108
H01L 21/265 C
, H01L 27/10 325 J
