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J-GLOBAL ID：200903094362918197

多層膜作成装置

Inventor： 深沢 博之 ,  高木 憲一 ,  根岸 敏夫
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993345279
Publication number (International publication number)：1995176481
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】薄膜の膜厚制御を可能にするとともに、ターゲットのエロージョンを均一にし、酸素等の補足を十分に行い、薄膜に酸素等の欠損の発生を防止することの可能な多層膜作成装置を提供することにある。【構成】真空チャンバー21内に基板25と複数のターゲット24を対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンでターゲットをスパッタして基板の表面に薄膜を作成する多層膜作成装置において、上記基板を載置し、回転させる基板回転機構と、上記基板方向に活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ粒子供給機構と、上記ターゲットをカソード23に取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させるようにヘリカルコイル33を配設し、そのヘリカルコイルに高周波発振源34を接続した高真空高速プラズマスパッタ源とを備えた。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に基板と複数のターゲットを対向するように配設し、プラズマ放電中のイオンで複数のターゲットを交互にスパッタして基板の表面に多層膜を作成する多層膜作成装置において、上記基板を載置し、回転させる基板回転機構と、上記基板方向に活性ガスおよびスパッタ粒子を供給する活性ガスおよびスパッタ粒子供給機構と、上記ターゲットをカソードに取り付けるとともに、上記ターゲット面に中心軸を直交させるようにヘリカルコイルを配設し、そのヘリカルコイルに高周波発振源を接続した複数の高真空高速プラズマスパッタ源とを備えた多層膜作成装置。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C23C 28/00 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-108112
  
• 特開昭56-047562
  
• 特開昭63-062868