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J-GLOBAL ID：200903094373655082

薄膜形成装置

Inventor： 内山 浩 ,  山崎 舜平 ,  伊藤 健二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社 ,  株式会社半導体エネルギー研究所
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148215
Publication number (International publication number)：1996020873
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 成膜時に基体に生じがちな破断等のダメージをほぼ完全に防止して基体の表面全体に亘って均質な薄膜を安定且つ確実に成膜する。【構成】 チャンバー6を、高圧放電に対する耐性に優れた金属、例えばCuを材料としてカソード3及び上記基体部5を包囲するように設けるとともに、このチャンバー6を接地して接地電位とする。ここで、チャンバー6はそのアノード4との対向部が開口されて開口部6aが形成されており、この開口部6aから上記原反12の成膜部15がアノード4に対して臨んでいる。

Claim (excerpt)：

表面に基体が配置されたカソードと、この基体と対向配置されてなるアノードとを有し、前記カソードに所定のバイアス電位を印加して基体表面に薄膜を形成する薄膜形成装置において、前記基体を包囲しアノードとの対向部が開口されてなるチャンバーを有するとともに、このチャンバーが接地され接地電位とされてなることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  G11B 5/84 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31