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J-GLOBAL ID：200903094373688703

薄膜ガスセンサ

Inventor： 小野寺 克己 ,  河田 泰之 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 森田 雄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006402
Publication number (International publication number)：1999201929
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の薄膜ガスセンサは、感知部が小さいために従来の焼結型に比べてSN比が劣ることから、周囲温度の変化による感度の低下が顕著であり、問題点となっていた。【解決手段】 本発明の薄膜ガスセンサは、基板1と、前記基板上に支持膜2を介して形成されたヒータ層3と、前記ヒータ層上に電気絶縁層4を介して形成された温度センサ層5と、前記温度センサ層上に電気絶縁層7を介して間隔を持って一対に形成された電極8と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させるSnO2から成る感知膜9を備える。

Claim (excerpt)：

被検ガスの有無を検出する薄膜ガスセンサにおいて、基板と、前記基板上に支持膜を介して形成されたヒータ層と、前記ヒータ層上に電気絶縁層を介して形成された温度センサ層と、前記温度センサ層上に電気絶縁層を介して、間隔を持って一対に形成された電極と、前記電極間上に積層され、被検ガスに反応して電気抵抗値を変化させるSnO2から成る感知膜を備えることを特徴とする薄膜ガスセンサ。