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J-GLOBAL ID：200903094376659909

スピントランジスタ

Inventor： 佐藤 利江 ,  水島 公一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001281043
Publication number (International publication number)：2003092412
Application date： Sep. 17, 2001
Publication date： Mar. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ドレイン電流の磁化依存性が大きく高速読み出しに優れたスピントランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 スピン偏極した電子を生成するスピン偏極部(F1)を有するソース部(S)と、磁性体(F2)を有するドレイン部(D)と、前記ソース部から前記ドレイン部に電子を導くチャネル部(C)と、を備え、前記チャネル部と前記ドレイン部との間にポイントコンタクト(QP)が設けられたスピントランジスタを提供することにより、高いMR比が得られ、従来よりも磁気検出感度や読み出し速度を大幅に改善することが可能となる。

Claim (excerpt)：

スピン偏極した電子を生成するスピン偏極部を有するソース部と、磁性体を有するドレイン部と、前記ソース部から前記ドレイン部に電子を導くチャネル部と、を備え、前記チャネル部と前記ドレイン部との間にポイントコンタクトが設けられたことを特徴とするスピントランジスタ。

IPC (8)：

H01L 29/82 ,  G11C 11/16 ,  H01L 21/338 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10

FI (7)：

H01L 29/82 Z ,  G11C 11/16 ,  H01L 29/66 Z ,  H01L 27/10 447 ,  H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 M ,  H01L 31/10 A

F-Term (18)：

5F049MA14 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049QA09 ,  5F049QA20 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06 ,  5F083PR25 ,  5F102FA00 ,  5F102FB06 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GR17 ,  5F102GS07 ,  5F102GT10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗素子および磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-190984   Applicant：松下電器産業株式会社