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J-GLOBAL ID：200903094387008241
半導体レーザ素子の実装方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200035
Publication number (International publication number)：1994053611
Application date： Jul. 27, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 工程が簡略で歩留りの向上を図ることができ、かつ実使用時の温度変化に対する信頼性も良好である、半導体レーザ素子の実装方法を提供する。【構成】 ステム支持体の上に、あらかじめプリフォーム材薄膜が両面に形成されたサブマウントと、半導体レーザ素子とをこの順に載置した後、プリフォーム材薄膜に熱を加えることにより半導体レーザ素子をマウントする。
Claim (excerpt)：
半導体レーザ素子をマウントするためのステム支持体の上に、あらかじめプリフォーム材薄膜が両面に形成されたサブマウントと、半導体レーザ素子とをこの順に載置する工程と、載置された該サブマウントに形成されたプリフォーム材薄膜に熱を加える工程と、を含む半導体レーザ素子の実装方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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