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J-GLOBAL ID：200903094390704011

電子放出素子

Inventor： 中村 裕之 ,  中本 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993195754
Publication number (International publication number)：1995057619
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 良好な結晶性を有する絶縁体層および電子放出電極層を具備し、高い電子放出効率および大放出電流密度を得ることが可能な電子放出素子の提供。【構成】 IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る支持基板8と、前記支持基板8の少くとも電子放出領域面に一体的に配置されたアルカリ土類フッ化物絶縁層11と、前記アルカリ土類フッ化物絶縁層11上に一体的に配置され、電子放出領域を形成する IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る電子放出電極層12とを具備して成ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る支持基板と、前記支持基板の少くとも電子放出領域面に一体的に配置されたアルカリ土類フッ化物絶縁層と、前記アルカリ土類フッ化物絶縁層上に一体的に配置され、電子放出領域を形成する IV族半導体およびIII-V族化合物半導体から選ばれた素材から成る電子放出電極とを具備して成ることを特徴とする電子放出素子。