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J-GLOBAL ID：200903094394236241

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor： 村上 隆志
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997213484
Publication number (International publication number)：1999054451
Application date： Aug. 07, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 プラズマドーピング法でB2H6ガスを用いると多量の水素が同時にドーピングされホットキャリア耐性を劣化させてしまうこと、またBF3ガスを用いるとフッ素ラジカルによる基板表面のエッチングが同時進行し、ドーピングの制御性や効率が悪いことを防止するプラズマドーピング法を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する【解決手段】 水素で希釈されたB2H6をメインガスとし、このメインガスに対してBF3 を混合した不純物イオンを照射することで半導体基板上に不純物イオンをドーピングするものである。BF3 をメインガスとし、このメインガスに対して水素で希釈されたB2H6を混合した不純物イオンを照射することで半導体基板上に不純物イオンをドーピングするものである。

Claim (excerpt)：

チャンバー内に半導体基板を配置する工程と、前記半導体基板の表面上から、不純物元素の水素化物を含む第1のガスと、前記不純物元素のフッ化物を含む第2のガスとを有する混合ガスによるプラズマイオンを照射する照射工程を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 F