複合半導体回路装置およびその作製方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：光石俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016153
Publication number (International publication number)：1994232126
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Si電子回路素子と第III 族-第V族光・電子回路素子、および光配線(導波路)を同一基板上に作製する複合半導体回路装置およびその作製方法を提供する。【構成】 Si基板11上に並んで形成してなるIII 族-V族電子・光素子12とSiLSI13とを有すると共に、これらを覆う平坦化層としてのSiO2 14の平坦面から各々鉛直方向に形成された配線用穴15内に配線材料を埋め込み配線16を施してなる。

Claim (excerpt)：

Si基板上に並んで形成された、III 族-V族電子・光電子素子とSiLSIとを有し、前記III 族-V族電子・光素子と、Si素子間とが配線された基板において、横方向の前記配線が平坦に形成されていることを特徴とする複合半導体回路装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-191572
特開昭58-144270
特開平3-050822

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