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J-GLOBAL ID：200903094398512367

スイッチ回路及びそれを用いた超音波診断装置

Inventor： 近藤 敏郎 ,  石川 裕子 ,  神田 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社日立メディコ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994027609
Publication number (International publication number)：1995221622
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】スイッチ回路において、信号の洩れを少なくすると共に回路規模を小型化し且つコスト低下を図る。【構成】二つの電界効果トランジスタ(FET)8a,8bを逆直列接続して成る高耐圧アナログスイッチ41′〜4n′を用い、上記FET8a,8bのゲート信号を光結合回路9,10で制御すると共に、FET8a,8bのソースにオフ動作時に低インピーダンス電源で逆バイアスして、対象回路の接続の切り換えを行うスイッチ回路5において、上記高耐圧アナログスイッチ41′〜4n′のFET8a,8bのソースにスイッチングダイオード22を接続し、FET8a,8bがオフ動作時に上記ダイオード22がオンして、上記ソースに低インピーダンス電源が接続される。また上記FET8a,8bがオン動作時に上記ダイオード22がオフすると共に上記逆バイアスする電位は接地電位にFET8cがオン動作するものである。

Claim (excerpt)：

二つの電界効果トランジスタを逆直列接続して成る高耐圧アナログスイッチを用い、上記二つの電界効果トランジスタのゲート信号を光結合回路で制御すると共に、これらの電界効果トランジスタの共通接続されたソースにオフ動作時にインピーダンス電源で逆バイアスするため、上記高耐圧アナログスイッチの二つの電界効果トランジスタの共通接続されたソースにスイッチングダイオードを接続し、上記電界効果トランジスタがオフ動作時に上記スイッチングダイオードがオンして、上記ソースに低インピーダンス電源が接続すると共に電界効果トランジスタがオン時には上記ダイオードがオフし、且つ上記逆バイアス電圧を零電位とする構成にしたことを特徴とするスイッチ回路。

IPC (3)：

H03K 17/78 ,  A61B 8/00 ,  G01N 29/22 501