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J-GLOBAL ID：200903094402935308
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996293580
Publication number (International publication number)：1998144699
Application date： Nov. 06, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：
【要約】【課題】 化合物半導体を用いたコレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタの寄生エミッタ領域に酸素イオン打ち込みする従来技術では、エミッタ・ベース接合面積がベース・コレクタ接合面積よりも大きいため電流増幅率が低く、ベース層の高抵抗化のために最大発振周波数も低い。【解決手段】 エミッタ層を面積が異る複数の化合物半導体層からなる積層膜により構成し、この積層膜の各界面における接触面積の最小値(実効エミッタ・ベース接合面積)をベース・コレクタ接合面積よりも小さくする。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、該基板上に形成されたn型化合物半導体積層膜からなるエミッタ層と、該エミッタ層上に形成され、該エミッタ層を形成する化合物半導体の禁制帯幅よりも小さな禁制帯幅を有するp型化合物半導体からなるベース層と、該ベース層上に形成されたn型化合物半導体からなるコレクタ層と、該コレクタ層上に形成されたn型化合物半導体からなるコレクタコンタクト層と、前記エミッタコンタクト層、前記ベース層および前記コレクタコンタクト層にそれぞれ接続されたエミッタ電極、ベース電極およびコレクタ電極を有するコレクタトップヘテロ接合バイポーラトランジスタを備えた半導体装置において、前記エミッタ層を構成するn型化合物半導体積層膜の各界面における接触面積の最小値が前記ベース層と前記コレクタ層の接触面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
