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J-GLOBAL ID：200903094432788946

光検出素子

Inventor： 野島 秀雄 ,  中西 健司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999052078
Publication number (International publication number)：1999346010
Application date： Mar. 01, 1999
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 超電導体薄膜と強磁性体薄膜を積層することにより、超高速、高感度の光検出素子を提供する。【解決手段】 光検出素子が、基板上に形成された強磁性体薄膜と高温超電導体薄膜とが、絶縁体薄膜を介して、各々の層が少なくとも1層以上、積層された光検出部と、該光検出部に接続配置された電極とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された強磁性体薄膜と高温超電導体薄膜とが、絶縁体薄膜を介して、各々の層が少なくとも1層以上、積層された光検出部と、該光検出部に接続配置された電極とを具備することを特徴とする光検出素子。

IPC (4)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01J 1/02 ,  H01F 10/08 ,  H01L 31/02

FI (4)：

H01L 39/22 ZAA D ,  G01J 1/02 R ,  H01F 10/08 A ,  H01L 31/02 Z