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J-GLOBAL ID：200903094439563346

シリコン基板の熱処理方法

Inventor： 津森 泰男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994182612
Publication number (International publication number)：1996045948
Application date： Aug. 03, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン基板表面のマイクロラフネスの増大を抑制するシリコン基板の熱処理方法を提供する。【構成】 シリコン基板を水素ガス、不活性ガスまたは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、雰囲気ガス中に含まれる酸素量および水分量の総和の2倍以上でかつ1ppma以下のSiH4 ガス、Si2 H6 ガス、またはSiH4 ガスとSi2 H6 ガスの混合ガスを添加した雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコン基板の熱処理方法である。【効果】 本発明により、シリコン基板を水素ガス、不活性ガス、または水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、該シリコン基板表面のマイクロラフネスの増大を抑制する熱処理が可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板を水素ガス、不活性ガスまたは水素ガスと不活性ガスの混合ガス雰囲気下で処理する熱処理方法において、雰囲気ガス中に含まれる酸素量および水分量の総和の2倍以上でかつ1ppma以下のSiH4 ガスを添加した雰囲気ガス中で熱処理することを特徴とするシリコン基板の熱処理方法。