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J-GLOBAL ID：200903094440015689

シリコンウエーハの洗浄方法およびその装置

Inventor： 小林 敏
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991264596
Publication number (International publication number)：1993109686
Application date： Oct. 14, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウェット洗浄を行わず、ウェーハ表面の有機物質や付着異物を除去できるシリコンウェーハの洗浄方法および装置を提供すること。【構成】 水蒸気と、オゾンガスおよびアンモニアガスを供給して洗浄することを特徴とするとするシリコンウェーハの洗浄方法および加熱装置5を備えた減圧室1に水蒸気供給源7と、オゾンガス8およびアンモニアガス供給源を接続したことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄装置である。

Claim (excerpt)：

水蒸気と、オゾンガスおよびアンモニアガスを供給して洗浄することを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。