半導体材料およびその作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991080799
Publication number (International publication number)：1993299339
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、信頼性、電気的特性に優れた半導体材料、特に膜状に形成される半導体材料を提供することを目的とする。【構成】レーザーアニールによってアモルファス半導体を改質して作製された、酸素、窒素、炭素の濃度が、いずれも5×1019cm-3以下、望ましくは1×1019cm-3以下である半導体材料。

Claim (excerpt)：

炭素、窒素、および酸素の濃度がいずれも5×1019cm-3以下、好ましくは1×1019cm-3以下である非結晶性の珪素膜をレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射して溶融する過程と、再結晶化する過程とを経たことによって得られたことを特徴とする半導体材料。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平1-241862
特開昭60-245124
特開平2-271611

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