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J-GLOBAL ID：200903094440433057

単結晶引き上げ方法

Inventor： 奥井 正彦 ,  神田 忠 ,  田中 忠美
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996032963
Publication number (International publication number)：1997208377
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 R-OSF外側結晶には転位クラスタが生成され、R-OSF内側結晶には赤外散乱体,フローパターン欠陥が生成されて、結晶品質が低い。【解決手段】 CZ法により単結晶9を所定の長さのボディ部だけ融液8から引き上げ成長させた後に、引き上げた単結晶9を融液8から切り離し、その後切り離した単結晶9を高速で上昇させて急冷する。R-OSF外側結晶のみが形成される程に低速にて単結晶9を引き上げ、融液から切り離して急冷させ、融点〜950 °Cまでの温度領域から急冷された部位では、転位クラスタが形成されない単結晶を得る。R-OSF内側結晶のみが形成される程に高速にて単結晶9を引き上げ、融液から切り離して急冷させ、融点〜1050°Cまでの温度領域から急冷された部位では、赤外散乱体,フローパターン欠陥が形成されない単結晶を得る。

Claim (excerpt)：

単結晶原料を溶融させた融液から単結晶を成長させながら引き上げる方法において、R-OSF部が内側に閉じたR-OSF外側結晶からなる単結晶を前記融液から引き上げる工程と、引き上げた単結晶を前記融液から切り離す工程と、切り離した単結晶を上昇させることにより冷却する工程とを有することを特徴とする単結晶引き上げ方法。

IPC (3)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3)：

C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 J ,  H01L 21/208 P