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J-GLOBAL ID：200903094440463185

GaN単結晶基板及びその製造方法

Inventor： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  松本 直樹
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP1998004908
Publication number (International publication number)：WO1999023693
Application date： Oct. 29, 1998
Publication date： May. 14, 1999
Summary：

【要約】本発明に係るGaN単結晶基板の製造方法は、GaAs基板2上に互いに離隔配置された複数の開口窓10を有するマスク層8を形成するマスク層形成工程と、マスク層8上にGaNからなるエピタキシャル層12を成長させるエピタキシャル層成長工程とを備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、互いに離隔配置された複数の開口窓を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、 前記マスク層上に、GaNからなるエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル層成長工程と、 を備えることを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B ,  H01S 5/323