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J-GLOBAL ID：200903094448121860

金属膜のプラズマCVD方法、および金属窒化物膜の形成方法ならびに半導体装置

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169027
Publication number (International publication number)：1998237662
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Sep. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Ti等の金属膜のプラズマCVD方法や、TiN膜等の金属窒化物膜の形成方法において、接続孔開口部等における成膜形状の非対称性、下地の導電材料層等の腐食、残留ハロゲンや膜剥離等の問題を解決する。【解決手段】 TiCl4 、H2 およびArを含む混合ガスによるプラズマCVDにおいて、Ti成膜種を効率よくイオン化し、生成したTi+ イオンを被処理基板に向け、略垂直に入射して金属膜を形成する。このような方法によるカバレッジのよい金属膜の形成と、この金属膜のプラズマ窒化を交互に繰り返し、所望の厚さの金属窒化物膜を形成する。【効果】 垂直入射する金属イオンにより、接続孔の底部では厚く、側壁では薄く、対称性よく金属膜や金属窒化物膜が成膜される。

Claim (excerpt)：

金属ハロゲン化物ガス、水素ガスおよび希ガスを含む原料ガスを用い、被処理基板上に金属膜を形成するプラズマCVD方法において、前記金属ハロゲン化物を、プラズマ中の水素活性種により還元して金属中性種を生成する工程と、前記金属中性種と、プラズマ中の希ガス活性種および電子のうちの少なくとも一方とを衝突させ、金属イオンを生成する工程と、を有するとともに、前記金属ハロゲン化物と、プラズマ中の希ガス活性種および電子のうちの少なくとも一方とを衝突させ、金属イオンとハロゲン中性種を生成する工程と、前記ハロゲン中性種を、プラズマ中の水素活性種により還元反応してハロゲン化水素を生成する工程と、を有し、さらに生成した前記金属イオンを、前記被処理基板の主面に対し略垂直に入射させて、前記被処理基板上に金属膜を形成する工程を有することを特徴とする金属膜のプラズマCVD方法。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 8/38 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/285

FI (4)：

C23C 16/50 ,  C23C 8/38 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/285 C