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J-GLOBAL ID：200903094448244296

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 古 川 千 里 ,  岡 崎 治 彦 ,  菅 原 秀 人 ,  鈴 木 伸 洋
Applicant, Patent owner： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997354655
Publication number (International publication number)：1999186174
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 簡易に極めて高効率且つ効果的にドーパントが活性化された窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層に紫外線を照射することによって、ドーパントと水素との結合を分離してドーパントを効率的に活性化することができる。同時に、ドナーとして作用し、p型層を補償している窒化ガリウム系化合物半導体層中の空孔を減少させ、実効的なキャリア濃度を増加させることができる。また、紫外線の照射に際しては、従来よりも低い50°C〜400°Cの温度範囲において加熱すれば十分に活性化を図ることができる。また、紫外線の中心波長は380nm以下であることが望ましく、さらに、窒素雰囲気とすることが望ましい。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上にエピタキシャル成長してなる少なくとも1層の窒化ガリウム系化合物半導体層とを備えた半導体装置であって、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の少なくともいずれかは、紫外線を照射することによりドーパントが活性化され、その照射方向に沿って濃度が減少するキャリア濃度分布を有するものとして構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系結晶の熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-239748   Applicant：日立電線株式会社
• p型化合物半導体の低抵抗化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-074645   Applicant：新日本製鐵株式会社