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J-GLOBAL ID：200903094448563782
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055552
Publication number (International publication number)：1995263637
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置に内蔵された誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子の漏洩電流の増大および絶縁耐圧の低下を防止し、絶縁破壊による故障の発生を防止する。【構成】 半導体集積回路装置が形成されたシリコン基板1の第1の絶縁膜6上に、下電極7、強誘電体膜または高誘電率の誘電体膜からなる容量絶縁膜8および上電極9からなる容量素子10と、この容量素子10を被覆する第2の絶縁膜16と、第2の絶縁膜16に設けたコンタクトホール12a,12bを介して半導体集積回路部、および容量素子に電気的に接続される電極配線13a,13bと、電極配線13a,13bを覆う保護膜14とを備え、第2の絶縁膜16の水分含有量を第2の絶縁膜16の1cm3当たりに換算して0.5gを超えない値とした。
Claim (excerpt)：
半導体集積回路が形成された支持基板の第1の絶縁膜上に下電極、強誘電体膜または高誘電率を有する誘電体膜からなる容量絶縁膜、および上電極からなる容量素子と、前記容量素子を被覆する第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して半導体集積回路部、および前記容量素子に電気的に接続された電極配線と、前記電極配線を覆う保護膜とを備え、前記第2の絶縁膜の水分含有量が前記第2の絶縁膜1cm3当たりに換算して0.5gを超えないことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/10 451
